半导体装置及其制造方法
授权
摘要
本发明实施例涉及半导体装置及其制造方法。该半导体装置包含衬底、封装、第一导体及第二导体。所述衬底包含第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述封装放置于所述衬底上方。所述第一导体放置于所述衬底上方。所述第二导体放置于所述衬底上方，其中所述第一导体及所述第二导体基本上处于同一层级，且所述第二导体的宽度大于所述第一导体的宽度。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109427701A
申请号 ：
CN201711230904.3
公开（公告）日 ：
2019-03-05
申请日 ：
2017-11-29
授权号 ：
CN109427701B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
黄冠育蓝子凯殷寿志许书嘉李百渊黄松辉李祥帆韩英信
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市新竹科学工业园力行六路8号
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
蕭輔寬
优先权 ：
CN201711230904.3
主分类号 ：
H01L23/31
IPC分类号 ：
H01L23/31 H01L23/498 H01L23/522
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2020-09-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/31
申请日 : 20171129
申请日 : 20171129
2019-03-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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