半导体装置及其制造方法
授权
摘要
本发明提供一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置保护引线的接合部。半导体装置(100)具备：半导体元件(12)，其在表面具有电极；引线(15)，其与半导体元件(12)的电极接合；树脂层(22b)，其覆盖半导体元件(12)的表面的引线(15)的接合部；以及凝胶填充材料(23)，其密封半导体元件(12)、引线(15)和树脂层(22b)。通过利用树脂层(22b)对引线(15)的接合部进行保护，从而能够缓和其劣化，提高半导体装置(100)的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN107093587A
申请号 ：
CN201611233908.2
公开（公告）日 ：
2017-08-25
申请日 ：
2016-12-28
授权号 ：
CN107093587B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
金井直之堀元人金子悟史
申请人 ：
富士电机株式会社
申请人地址 ：
日本神奈川县川崎市
代理机构 ：
北京铭硕知识产权代理有限公司
代理人 ：
孙昌浩
优先权 ：
CN201611233908.2
主分类号 ：
H01L23/31
IPC分类号 ：
H01L23/31 H01L23/29 H01L21/56
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2019-01-18 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/31
申请日 : 20161228
申请日 : 20161228
2017-08-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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