半导体装置及其制造方法
授权
摘要
本发明涉及一种半导体装置，包括：第一沟道层和第二沟道层，其每一个从上部延伸到下部；字线，其从下部朝向上部堆叠，字线彼此间隔开，字线中的每一个延伸以围绕第一沟道层和第二沟道层；第一下部选择组，其围绕朝向下部进一步突出超过字线的第一沟道层的一部分；以及第二下部选择组，其围绕朝向下部进一步突出超过字线的第二沟道层的一部分。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109285789A
申请号 ：
CN201810438550.X
公开（公告）日 ：
2019-01-29
申请日 ：
2018-05-09
授权号 ：
CN109285789B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
李南宰
申请人 ：
爱思开海力士有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京路浩知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵赫
优先权 ：
CN201810438550.X
主分类号 ：
H01L21/56
IPC分类号 ：
H01L21/56 H01L23/31 H01L23/528
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56
封装，例如密封层、涂层
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2019-03-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/56
申请日 : 20180509
申请日 : 20180509
2019-01-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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