半导体装置及其制造方法

实质审查的生效

摘要

实施方式提供一种能实现电磁波的屏蔽与散热性的提高的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置包含衬底、半导体存储器、控制器、第1导热板、石墨片、封装部及外部电极。衬底具有第1面、及位于第1面的相反侧的第2面。半导体存储器设置在第1面。控制器设置在第1面，能控制半导体存储器。第1导热板配置在控制器之上。石墨片配置在第1导热板之上。封装部将半导体存储器、控制器、第1导热板及石墨片封装。外部电极有多个，设置在衬底的第2面。

基本信息

专利标题：

半导体装置及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114334856A

申请号：

CN202110896834.5

公开（公告）日：

2022-04-12

申请日：

2021-08-05

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

鸭田凉高桥秀树

申请人：

铠侠股份有限公司

申请人地址：

日本东京

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司

代理人：

杨林勳

优先权：

CN202110896834.5

主分类号：

H01L23/367

IPC分类号：

H01L23/367 H01L23/373 H01L23/31 H01L25/18 H01L21/56

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L23/00

半导体或其他固态器件的零部件

H01L23/34

冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置

H01L23/36

为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器

H01L23/367

为便于冷却的器件造型

法律状态

2022-04-29 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 23/367
申请日 : 20210805

2022-04-12 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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