半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法
实质审查的生效
摘要
本公开涉及一种半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法。一种半导体存储器装置包括：栅极层叠结构；沟道层，该沟道层在垂直方向上穿过栅极层叠结构；存储器层，该存储器层设置在沟道层和栅极层叠结构之间；虚设层叠结构，该虚设层叠结构朝向栅极层叠结构延伸；第一虚设图案，该第一虚设图案在垂直方向上穿过虚设层叠结构；以及间隙，该间隙布置在第一虚设图案中。
基本信息
专利标题 ：
半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114520234A
申请号 ：
CN202110747216.4
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2021-07-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李南宰
申请人 ：
爱思开海力士有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘久亮
优先权 ：
CN202110747216.4
主分类号 ：
H01L27/11582
IPC分类号 ：
H01L27/11582 H01L27/1157 H01L27/11556 H01L27/11524
法律状态
2022-06-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11582
申请日 : 20210701
申请日 : 20210701
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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