半导体存储器的制造方法
专利权的终止
摘要
本发明的目的在于：以简化了的工序形成具有精度好的铁电电容的半导体存储器。在形成于层间绝缘膜(8)上的接触孔(8a)中埋入W等金属材料形成钨栓(31)，然后，将该层间绝缘膜(8)刻蚀掉规定的厚度，使钨栓(31)的顶端部突出。接着，在其上依次形成构成铁电电容的Pt膜、铁电薄膜以及Pt膜。而且，通过一并刻蚀对这些Pt膜、铁电薄膜以及Pt膜进行构图，形成以铂电极(32、34)夹持铁电薄膜(33)的结构的铁电电容。
基本信息
专利标题 ：
半导体存储器的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1929114A
申请号 ：
CN200610004794.4
公开（公告）日 ：
2007-03-14
申请日 ：
2006-01-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
小林康孝猪股大介
申请人 ：
冲电气工业株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
浦柏明
优先权 ：
CN200610004794.4
主分类号 ：
H01L21/8239
IPC分类号 ：
H01L21/8239
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8239
存储器结构
法律状态
2014-03-26 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101581060783
IPC(主分类) : H01L 21/8239
专利号 : ZL2006100047944
申请日 : 20060128
授权公告日 : 20110803
终止日期 : 20130128
号牌文件序号 : 101581060783
IPC(主分类) : H01L 21/8239
专利号 : ZL2006100047944
申请日 : 20060128
授权公告日 : 20110803
终止日期 : 20130128
2011-08-03 ：
授权
2008-11-05 ：
实质审查的生效
2007-03-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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