半导体存储器件及其制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明涉及无须增加工序就可以制造出的一种不易在浮栅电极上形成尖锐形状的半导体存储器件。在对元件隔离沟槽(103)内淀积的绝缘材料(104)进行刻蚀时，使掩埋氧化膜(105)表面的高度低于元件形成区域(106)表面的高度。从而，在第1隧道膜(107)上形成浮栅电极用的多晶硅膜(108)时，使多晶硅膜(108)在掩埋氧化膜(105)上呈向下弯曲的形状。因此，不会在浮栅电极(109)的两端部分形成尖锐形状。通过形成无尖锐形状的浮栅电极，可以提高半导体存储器件的数据保持特性。
基本信息
专利标题 ：
半导体存储器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1828906A
申请号 ：
CN200510106956.0
公开（公告）日 ：
2006-09-06
申请日 ：
2005-09-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
大泽启佐
申请人 ：
冲电气工业株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
王以平
优先权 ：
CN200510106956.0
主分类号 ：
H01L27/115
IPC分类号 ：
H01L27/115 H01L21/8247
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
法律状态
2009-08-12 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-03-12 ：
实质审查的生效
2006-09-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1828906A.PDF
PDF下载
