半导体存储器装置及半导体存储器装置的制造方法
实质审查的生效
摘要
提供了半导体存储器装置及半导体存储器装置的制造方法。一种半导体存储器装置包括：沟道结构，其包括第一柱部和从第一柱部延伸的第二柱部；阻挡绝缘层，其围绕第一柱部的侧壁；数据储存层，其设置在第一柱部和阻挡绝缘层之间；上选择线，其与面向第二柱部的延伸方向的阻挡绝缘层的端部和数据储存层的端部交叠，上选择线围绕第二柱部的侧壁；以及隧道绝缘层，其设置在第一柱部和数据储存层之间，隧道绝缘层在第二柱部和上选择线之间延伸。
基本信息
专利标题 ：
半导体存储器装置及半导体存储器装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114373768A
申请号 ：
CN202110591933.2
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2021-05-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李南宰
申请人 ：
爱思开海力士有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘久亮
优先权 ：
CN202110591933.2
主分类号 ：
H01L27/11568
IPC分类号 ：
H01L27/11568 H01L27/11582
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11568
申请日 : 20210528
申请日 : 20210528
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
