存储器元件,半导体元件及其制造方法
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摘要
本发明提供一种存储器元件，半导体元件及其制造方法，具体涉及一种整合于一绝缘层上有硅的单晶体管随机处理存储器具有一电容器结构，此电容器结构是埋藏在至少部分的SOI基底的电容器沟槽中，且一栅极结构是形成在SOI基底上。一上电极电容器结构是和栅极结构的栅电极同时形成，且两者由相同的材料所组成。一电容器结构的电容器介电层是和栅极结构的栅极介电层同时形成，且两者由相同的材料所组成。本发明整合在SOI基底上的1T－RAM元件可通过埋藏氧化层完全绝缘于其它元件，以降低耗能和增加运作速度。
基本信息
专利标题 ：
存储器元件,半导体元件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1825597A
申请号 ：
CN200610001671.5
公开（公告）日 ：
2006-08-30
申请日 ：
2006-01-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
涂国基
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200610001671.5
主分类号 ：
H01L27/12
IPC分类号 ：
H01L27/12 H01L21/84
相关图片
法律状态
2008-10-22 ：
授权
2006-10-25 ：
实质审查的生效
2006-08-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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