存储器元件及其制造方法
实质审查的生效
摘要
一种存储器元件，包括：基底、叠层结构以及接触窗。基底包括存储器阵列区与阶梯区。叠层结构位于存储器阵列区与阶梯区的所述基底上。所述叠层结构包括彼此交互堆叠的多个导体层与多个绝缘层。每一所述多个导体层包括：主体部，位于所述存储器阵列区并延伸至所述阶梯区；以及末端部，与所述主体部连接，位于所述阶梯区中。所述末端部的厚度大于所述主体部的厚度。接触窗着陆于所述末端部并与所述末端部连接。
基本信息
专利标题 ：
存储器元件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497050A
申请号 ：
CN202011297319.7
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-11-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
洪敏峰
申请人 ：
旺宏电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区力行路16号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
鄢功军
优先权 ：
CN202011297319.7
主分类号 ：
H01L27/11524
IPC分类号 ：
H01L27/11524 H01L27/11551 H01L27/1157 H01L27/11578 H01L29/423 H01L21/28
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
H01L27/11517
具有浮栅的
H01L27/11521
以存储器核心区为特征的
H01L27/11524
具有单元选择晶体管的，例如，NAND
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11524
申请日 : 20201118
申请日 : 20201118
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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