存储器件及其制造方法
公开
摘要
本发明实施例阐述一种包括字线、源极线、位线、存储层、沟道材料层的存储器件。字线在第一方向上延伸，且衬层设置在字线的侧壁上。存储层在衬层之间设置在字线的侧壁上且在第一方向上沿着衬层的侧壁延伸。衬层通过存储层间隔开且衬层夹置在存储层与字线之间。沟道材料层设置在存储层的侧壁上。介电层设置在沟道材料层的侧壁上。源极线及位线设置在介电层的相对的侧处且设置在沟道材料层的侧壁上。源极线及位线在与第一方向垂直的第二方向上延伸。衬层的材料具有比存储层的材料的介电常数低的介电常数。
基本信息
专利标题 ：
存储器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267682A
申请号 ：
CN202110795822.3
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-07-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林孟汉贾汉中杨丰诚杨柏峰许诺杨世海林佑明
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
南京正联知识产权代理有限公司
代理人 ：
王素琴
优先权 ：
CN202110795822.3
主分类号 ：
H01L27/11587
IPC分类号 ：
H01L27/11587 H01L27/1159 H01L27/11597
法律状态
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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