存储器件的制造方法及该存储器件

授权

摘要

本申请公开了一种存储器件的制造方法及该存储器件，包括：提供一衬底，该衬底包括存储单元区域和外围电路区域；对存储单元区域的有源区进行离子注入；在衬底上沉积隔离层，隔离层的最内层包括氧化硅层，隔离层的最外层包括氮化硅层；对隔离层进行刻蚀，直至衬底平面上的氧化硅层暴露在外；对外围电路区域的源端进行离子注入；在衬底沉积氧化硅层，使衬底上的图形被氧化硅层覆盖；去除存储单元区域的氧化硅层；通过湿刻蚀工艺去除存储单元区域最外层的氮化硅层；对存储区域的漏端进行离子注入。本申请能够在对栅极的侧墙进行减薄的同时不对外围电路的侧墙进行减薄，进而在保证ILD填充良率的基础上，满足外围电路的侧墙厚度以提高击穿电压窗口。

基本信息

专利标题：

存储器件的制造方法及该存储器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110797342A

申请号：

CN201910986340.9

公开（公告）日：

2020-02-14

申请日：

2019-10-17

授权号：

CN110797342B

授权日：

2022-05-27

发明人：

张金霜邹荣王奇伟陈昊瑜

申请人：

上海华力集成电路制造有限公司

申请人地址：

上海市浦东新区良腾路6号

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司

代理人：

戴广志

优先权：

CN201910986340.9

主分类号：

H01L27/11519

IPC分类号：

H01L27/11519 H01L27/11521 H01L27/11526 H01L27/11531