存储器的制造方法及存储器
实质审查的生效
摘要

本发明实施例提供一种存储器的制造方法及存储器,包括:提供基底,在基底上形成第一隔离层及分立的位线,第一隔离层位于位线远离基底的表面且还位于相邻位线之间;去除部分厚度的第一隔离层,形成分立的第一沟槽;形成填充第一沟槽的字线,字线与位线之间具有部分厚度的第一隔离层,字线具有相对的第一侧壁及第二侧壁,在字线之间形成分立的通孔,通孔暴露字线相对的第一侧壁、第二侧壁及位线表面;在第一侧壁表面形成第一介质层,在第二侧壁表面形成第二介质层;第一介质层的等效栅介质层厚度大于第二介质层的等效栅介质层厚度;形成填充通孔的有源层。本发明实施例能够提高字线、位线及有源层的排列密度,进而缩小存储器的尺寸。

基本信息
专利标题 :
存储器的制造方法及存储器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114446890A
申请号 :
CN202011233641.3
公开(公告)日 :
2022-05-06
申请日 :
2020-11-06
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
张军超陈涛
申请人 :
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 :
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 :
上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
成丽杰
优先权 :
CN202011233641.3
主分类号 :
H01L21/8242
IPC分类号 :
H01L21/8242  H01L27/108  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件,例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8239
存储器结构
H01L21/8242
动态随机存取存储结构
法律状态
2022-05-24 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8242
申请日 : 20201106
2022-05-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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