存储器器件及其制造方法
公开
摘要
本发明公开一种存储器器件及其制造方法。存储器器件包括器件衬底、下电极、可变电阻层以及上电极。下电极设置于器件衬底上。可变电阻层设置于下电极上。上电极设置于可变电阻层上。下电极经形成为具有张应力，而上电极经形成为具有压应力。
基本信息
专利标题 ：
存储器器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114583047A
申请号 ：
CN202011388129.6
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2020-12-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张智能林大钧苏士炜蔡馥郁蔡滨祥
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN202011388129.6
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00 H01L27/24
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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