制造快闪存储器件的方法
发明专利申请公布后的驳回
摘要
一种制造快闪存储器件的方法，其中于栅极线及源/漏极形成后，而于接触区的绝缘膜隔件被去除前，于该栅极线与该绝缘膜隔件间形成的一高品质缓冲氧化物膜，经由退火工艺而调整为致密。如此可避免当绝缘膜隔件被去除时，由于栅极的暴露金属层，因而出现异常氧化，原因是：在绝缘膜隔件被去除后，至少残留部分缓冲氧化物膜。
基本信息
专利标题 ：
制造快闪存储器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1797724A
申请号 ：
CN200510106945.2
公开（公告）日 ：
2006-07-05
申请日 ：
2005-09-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李承撤朴相昱
申请人 ：
海力士半导体有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510106945.2
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L21/8239
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2010-02-24 ：
发明专利申请公布后的驳回
2006-08-30 ：
实质审查的生效
2006-07-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
