制造闪速存储器件的方法
专利权的终止
摘要
本发明公开了一种制造闪速存储器件的方法，其中，将氧化膜和氮化物或氮化物和氧化物的堆叠结构应用于提供在栅极侧壁上的绝缘隔离体，用于形成源极/漏极区。在制成源极/漏极区之后，使用氧化物膜作为接触缓冲在栅极侧壁上形成隔离体，从而使栅极之间的干扰最小化并对单元的应力，克服阈值电压的扰动。
基本信息
专利标题 ：
制造闪速存储器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1858901A
申请号 ：
CN200510136267.4
公开（公告）日 ：
2006-11-08
申请日 ：
2005-12-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
韩景植朴相昱金相德
申请人 ：
海力士半导体有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510136267.4
主分类号 ：
H01L21/8239
IPC分类号 ：
H01L21/8239 H01L21/336
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8239
存储器结构
法律状态
2015-02-18 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101599306436
IPC(主分类) : H01L 21/8239
专利号 : ZL2005101362674
申请日 : 20051226
授权公告日 : 20080528
终止日期 : 20131226
号牌文件序号 : 101599306436
IPC(主分类) : H01L 21/8239
专利号 : ZL2005101362674
申请日 : 20051226
授权公告日 : 20080528
终止日期 : 20131226
2008-05-28 ：
授权
2007-01-03 ：
实质审查的生效
2006-11-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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