快闪存储器的制造方法
专利权的终止
摘要
一种快闪存储器的制造方法。首先，提供具有存储单元区与周边电路区的基底。此基底中已形成图案化介电层与第一导体层，利用此介电层与第一导体层的图形于基底中形成多个元件隔离结构。于基底上依序形成栅间介电层与薄多晶硅层，并移除周边电路区上的薄多晶硅层与栅间介电层。于基底上形成第二导体层与掩模层后，图案化各层而于存储单元区中形成存储单元及于周边电路区中形成栅极结构。在栅极结构上形成电连接第二导体层的导电插塞。由于周边电路区的栅间介电层已预先移除，因此在周边电路区形成导电插塞时，可以节省工艺，并提高工艺裕度。
基本信息
专利标题 ：
快闪存储器的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1941330A
申请号 ：
CN200510107019.7
公开（公告）日 ：
2007-04-04
申请日 ：
2005-09-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘思贤魏鸿基
申请人 ：
力晶半导体股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510107019.7
主分类号 ：
H01L21/8239
IPC分类号 ：
H01L21/8239 H01L21/8246 H01L21/768
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8239
存储器结构
法律状态
2011-12-07 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101147917857
IPC(主分类) : H01L 21/8239
专利号 : ZL2005101070197
申请日 : 20050927
授权公告日 : 20090128
终止日期 : 20100927
号牌文件序号 : 101147917857
IPC(主分类) : H01L 21/8239
专利号 : ZL2005101070197
申请日 : 20050927
授权公告日 : 20090128
终止日期 : 20100927
2009-01-28 ：
授权
2007-05-30 ：
实质审查的生效
2007-04-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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