非易失性存储器件及其制造方法

发明专利申请公布后的驳回

摘要

提供一种非易失性存储器及其制造方法。形成与焊盘氧化物层相比较具有高刻蚀速率的绝缘层作为第一STI膜和第二STI膜之间的缓冲层，第一STI膜形成为半导体衬底的下部分，以及第二STI膜形成为半导体衬底的上部分，以获得用于SAP结构的柱子CD。在刻蚀焊盘氧化物层的工序中，缓冲层与焊盘氧化物层相比被更迅速地刻蚀，因此保证足够的柱子CD，而没有过度的湿法回蚀。由此，在实现SAP结构中，可以防止缺陷发生如沟槽或裂缝，以及可以形成均匀厚度的隧道氧化物层。

基本信息

专利标题：

非易失性存储器件及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1779981A

申请号：

CN200510114062.6

公开（公告）日：

2006-05-31

申请日：

2005-10-18

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

金荣俊金大雄金民

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

林宇清

优先权：

CN200510114062.6

主分类号：

H01L27/115

IPC分类号：

H01L27/115 H01L21/8247 H01L21/762