具有金属栅极的分裂栅极非易失性闪存存储器单元及其制造方法

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摘要

本发明提供了一种存储器器件，包括硅衬底，该硅衬底具有在存储器单元区域中的平面的上表面，以及在逻辑器件区域中的向上延伸的硅鳍。硅鳍包括向上延伸且终止于顶表面处的侧表面。逻辑器件包括间隔开的源极区和漏极区，其中沟道区(沿顶表面和侧表面)在源极区和漏极区之间延伸；以及设置在顶表面之上且横向设置为与侧表面相邻的导电逻辑门。存储器单元包括间隔开的源极区和漏极区，其中第二沟道区在源极区和漏极区之间延伸；设置在第二沟道区的一个部分之上的导电浮置栅极；设置在第二沟道区的另一部分之上的导电字线栅极；设置在浮置栅极之上的导电控制栅极；以及设置在源极区之上的导电擦除栅极。

基本信息

专利标题：

具有金属栅极的分裂栅极非易失性闪存存储器单元及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN108243625A

申请号：

CN201680064295.6

公开（公告）日：

2018-07-03

申请日：

2016-10-17

授权号：

CN108243625B

授权日：

2022-04-22

发明人：

C.苏F.周J-W.杨H.V.陈N.杜

申请人：

硅存储技术公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

姜冰

优先权：

CN201680064295.6

主分类号：

H01L27/11521

IPC分类号：

H01L27/11521 H01L27/11524 H01L29/423 H01L29/788 H01L21/336 H01L21/28