垂直存储器中的浮动栅极存储器单元

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摘要

本发明涉及垂直存储器中的浮动栅极存储器单元。控制栅极形成于第一电介质材料叠层与第二电介质材料叠层之间。浮动栅极形成于所述第一电介质材料叠层与所述第二电介质材料叠层之间，其中所述浮动栅极包含朝向所述控制栅极延伸的突出部。电荷阻挡结构形成于所述浮动栅极与所述控制栅极之间，其中所述电荷阻挡结构的至少一部分包覆所述突出部。

基本信息

专利标题：

垂直存储器中的浮动栅极存储器单元

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN108461500A

申请号：

CN201810309077.5

公开（公告）日：

2018-08-28

申请日：

2014-03-05

授权号：

CN108461500B

授权日：

2022-04-29

发明人：

查尔斯·H·丹尼森合田晃约翰·霍普金斯法蒂玛·雅逊·席赛克-艾吉克里希纳·K·帕拉

申请人：

美光科技公司

申请人地址：

美国爱达荷州

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司

代理人：

王龙

优先权：

CN201810309077.5

主分类号：

H01L27/11556

IPC分类号：

H01L27/11556 H01L27/11578