使用二栅极非易失性存储器单元阵列的神经网络分类器

授权

摘要

本发明提供了一种神经网络设备，该神经网络设备具有包括多个存储器单元的第一多个突触。每个存储器单元包括在沟道区的第一部分上方的浮栅以及在沟道区的第二部分上方的第一栅极。这些存储器单元被布置成行和列。多条第一线，每条第一线将存储器单元行中的一行中的第一栅极电连接在一起；多条第二线，每条第二线将存储器单元行中的一行中的源极区电连接在一起；以及多条第三线，每条第三线将存储器单元列中的一列中的所述漏极区电连接在一起。第一多个突触接收第一多个输入作为多条第三线上的电压，并提供第一多个输出作为多条第二线上的电流。

基本信息

专利标题：

使用二栅极非易失性存储器单元阵列的神经网络分类器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113366503A

申请号：

CN201980089319.7

公开（公告）日：

2021-09-07

申请日：

2019-08-27

授权号：

CN113366503B

授权日：

2022-05-10

发明人：

H·V·特兰S·莱姆克V·蒂瓦里N·多M·雷顿

申请人：

硅存储技术股份有限公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司

代理人：

蔡悦

优先权：

CN201980089319.7

主分类号：

G06N3/063

IPC分类号：

G06N3/063