一种非易失性的动态存储器单元
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种非易失性的动态存储器单元，包括一条位线、一条字线、两个场效应晶体管、一个铁电MOS电容和一个电压比较器；其中场效应晶体管充当开关的作用，铁电MOS电容用来存储信息；在向铁电MOS电容写入存储信息“0”或“1”时，铁电MOS电容的极化方向会不同，导致铁电MOS电容值不同；在读取存储信息时，电容值的不同导致在与位线电容分压时，存储“0”或“1”时铁电MOS电容分得的电压具有差异，通过电压比较器表征这种电压差异，从而区分存储信息为“0”或“1”。其优点在于并不是依靠电荷存储信息，而是通过电容值来储存信息，具有非易失的特性。
基本信息
专利标题 ：
一种非易失性的动态存储器单元
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114360596A
申请号 ：
CN202111657961.6
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈冰崔学成曹继芳刘冬赵家艺叶佳宝夏文泰
申请人 ：
浙江大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
代理机构 ：
杭州求是专利事务所有限公司
代理人 ：
刘静
优先权 ：
CN202111657961.6
主分类号 ：
G11C11/22
IPC分类号 ：
G11C11/22
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/22
应用铁电元件的
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 11/22
申请日 : 20211230
申请日 : 20211230
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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