具有非易失性存储单元装置的集成半导体存储器及方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
在其所存储的信息由具有包括固态电解质的各个层的层堆栈的无电抗电阻的大小表示的集成半导体存储器中，出现以下问题，即尽管写入电压和擦除电压的大阈值(G1、G2)随着存储单元的不同而不同意味着存储单元可以被单独编程的事实，但在传统上，所述存储单元不能被单独擦除，即选择性地相对其他存储单元擦除。对此的原因是从电势(Verasemin)变化到电势(Verasemax)擦除电压的阈值(G1)的大带宽。本发明提出了一种半导体存储器和一种用于操作该半导体存储器的方法，其中所有位线和字线的同时偏压以及电势的特定选择允许单个存储单元选择性地相对其他存储单元来擦除。
基本信息
专利标题 ：
具有非易失性存储单元装置的集成半导体存储器及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1819060A
申请号 ：
CN200610059901.3
公开（公告）日 ：
2006-08-16
申请日 ：
2006-01-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
C·利奥
申请人 ：
因芬尼昂技术股份公司
申请人地址 ：
德国慕尼黑
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
吴立明
优先权 ：
CN200610059901.3
主分类号 ：
G11C16/02
IPC分类号 ：
G11C16/02 G11C16/14 G11C11/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
法律状态
2009-08-12 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-10-11 ：
实质审查的生效
2006-08-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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