具有统一的存储单元操作特性的非易失性半导体存储器件
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明涉及一种NAND类型的非易失性半导体存储器件，其包括单元串，单元串包括伪单元，伪单元插入在所提供的串选择晶体管和非易失性存储单元之间，并且串行连接到所提供的串选择晶体管和非易失性存储单元。该NAND类型的非易失性半导体存储器件还包括适合用于激活伪字线以选通伪单元的伪字线驱动器。
基本信息
专利标题 ：
具有统一的存储单元操作特性的非易失性半导体存储器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1929028A
申请号 ：
CN200610006392.8
公开（公告）日 ：
2007-03-14
申请日 ：
2006-01-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
姜东求边大锡林瀛湖
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
邵亚丽
优先权 ：
CN200610006392.8
主分类号 ：
G11C11/56
IPC分类号 ：
G11C11/56 G11C16/06
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/56
使用具有按级表示的两个以上稳态的存储元件的，如：电压、电流、相位、频率的
法律状态
2010-08-11 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101003930892
IPC(主分类) : G11C 11/56
专利申请号 : 2006100063928
公开日 : 20070314
号牌文件序号 : 101003930892
IPC(主分类) : G11C 11/56
专利申请号 : 2006100063928
公开日 : 20070314
2007-05-09 ：
实质审查的生效
2007-03-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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