存储单元、存储单元的制造方法与操作方法

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摘要

一种存储单元，该存储单元位于基底上，该基底有多个浅沟渠隔离，其中每一上述这些浅沟渠隔离的上表面低于该基底的上表面，且上述这些浅沟渠隔离共同定义该基底的垂直鳍状结构，该存储单元包括：跨骑闸，载流子捕捉结构以及至少两源极/漏极区。跨骑闸位于基底上，其中跨骑闸跨骑垂直鳍状结构。载流子捕捉结构位于跨骑闸与基底之间，其中载流子捕捉结构包括直接接触跨骑闸的捕捉层以及位于捕捉层与基底之间的穿隧层。源极/漏极区位于跨骑闸所裸露的基底的部分垂直鳍状结构中。

基本信息

专利标题：

存储单元、存储单元的制造方法与操作方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1979894A

申请号：

CN200510127511.0

公开（公告）日：

2007-06-13

申请日：

2005-12-05

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

徐子轩吴昭谊李明修

申请人：

旺宏电子股份有限公司

申请人地址：

台湾省新竹科学工业园区力行路16号

代理机构：

北京连和连知识产权代理有限公司

代理人：

包红健

优先权：

CN200510127511.0

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L27/105 H01L21/336 H01L21/8239