动态随机存取存储单元制造方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
在半导体基片20内形成一条沟槽，该沟槽内填入多晶硅以形成存储电容器的一个极板34，基片20用作该电容器的另一极板，沟槽的其余部分随后填有二氧化硅38，随后在二氧化硅上蚀刻图形，露出一部分侧壁直至多晶硅电容器极板，随后在多晶硅电容器极板和该基片之间形成接触50，通过氧化形成栅极绝缘体，漏极在与沟槽开口相邻的沟槽表面形成，随后在沟槽开孔部分内形成导电材料54，把存储电容器之一连接至漏极区24，由此形成一个晶体管。
基本信息
专利标题 ：
动态随机存取存储单元制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN88101174A
申请号 ：
CN88101174.6
公开（公告）日 ：
1988-12-07
申请日 ：
1988-03-01
授权号 ：
CN1011369B
授权日 ：
1991-01-23
发明人 ：
克拉伦斯·腾万生罗伯特·阿·都灵阿斯维应·海·沙夏
申请人 ：
得克萨斯仪器公司
申请人地址 ：
美国得克萨斯州
代理机构 ：
上海专利事务所
代理人 ：
傅远
优先权 ：
CN88101174.6
主分类号 ：
H01L21/76
IPC分类号 ：
H01L21/76 H01L21/82 H01L27/108 G11C11/401
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
法律状态
2004-04-28 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-04-24 ：
其他有关事项
1991-08-21 ：
授权
1991-01-23 ：
审定
1990-07-25 ：
实质审查请求
1988-12-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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