动态随机存取存储单元
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
在半导体基片20内形成一条沟槽，该沟槽内填入多晶硅以形成存储电容器的一个极板34，基片20用作该电容器的另一极板，沟槽的其余部分随后填有二氧化硅38，随后在二氧化硅上蚀刻图形，露出一部分侧壁直至多晶硅电容器极板，随后在多晶硅电容器极板和该基片之间形成接触50，通过氧化形成栅极绝缘体，漏极在与沟槽开口相邻的沟槽表面形成，随后在沟槽开孔部分内形成导电材料54，把存储电容器之一连接至漏极区24，由此形成一个晶体管。
基本信息
专利标题 ：
动态随机存取存储单元
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1050458A
申请号 ：
CN90108147.7
公开（公告）日 ：
1991-04-03
申请日 ：
1988-03-01
授权号 ：
CN1019615B
授权日 ：
1992-12-23
发明人 ：
克拉伦斯·腾万生罗伯特·阿·都灵阿斯维应·海·沙夏
申请人 ：
得克萨斯仪器公司
申请人地址 ：
美国得克萨斯州
代理机构 ：
上海专利事务所
代理人 ：
傅远
优先权 ：
CN90108147.7
主分类号 ：
G11C11/404
IPC分类号 ：
G11C11/404 H01L27/10
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/401
形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的
G11C11/403
对多个存储单元共同进行电荷再生的，即，外部刷新
G11C11/404
有一个电荷传输门的，例如每个单元一个MOS晶体管
法律状态
2004-04-28 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-04-24 ：
其他有关事项
1993-08-11 ：
授权
1992-12-23 ：
审定
1991-04-03 ：
公开
1991-01-30 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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