存储单元和具有该存储单元的半导体器件
实质审查的生效
摘要
本公开提供了一种半导体器件，包括：存储单元阵列，其包括在基体衬底上竖直层叠的多个存储单元，其中，每个存储单元包括：位线，其相对于基体衬底竖直地取向；电容器，其与位线横向地间隔开；有源层，其在位线与电容器之间横向地取向；字线，其位于有源层的上表面和下表面中的任一个上，并在与有源层交叉的方向上横向地延伸；以及位线放电部分，其耦接到位线。
基本信息
专利标题 ：
存储单元和具有该存储单元的半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114373759A
申请号 ：
CN202110569901.2
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2021-05-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
柳丞昱李起洪
申请人 ：
爱思开海力士有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京弘权知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭放
优先权 ：
CN202110569901.2
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/108
申请日 : 20210525
申请日 : 20210525
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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