半导体器件
授权
摘要
该实用新型涉及一种半导体器件，能够解决形成在通孔内的器件容易掉落的问题，提高最终出产的产品的良率。其中，所述半导体器件包括衬底；形成于所述衬底上方的至少三层层叠设置的支撑层；至少两个通孔，一端设置在最上方的支撑层的上表面，并沿垂直于所述衬底表面的方向向下延伸，且存在至少两个通孔的长度不同；所述支撑层的分布沿垂直所述衬底表面的方向向下逐渐稀疏。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921940747.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-11
授权号 ：
CN211879387U
授权日 ：
2020-11-06
发明人 ：
吴从军
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙佳胤
优先权 ：
CN201921940747.X
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2020-11-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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