电容器、其制作方法及电子设备
实质审查的生效
摘要
本公开提供一种电容器、其制作方法及一种电子设备。本公开的电容器包括:所述电容器为圆台型,包括上电极、介电层、下电极、衬底,其中,下电极的远离衬底一侧的临界尺寸小于靠近所述衬底一侧的临界尺寸。所述方法包括:在衬底上制备圆台型氧化物层,所述圆台型氧化物层的顶部直径大于底部直径;在所述圆台型氧化物层的上表面、侧面及衬底上沉积形成第一氮化钛层,并通过回刻去除所述圆台型氧化物层上表面的第一氮化钛层;去除所述圆台型氧化物层,并在所述第一氮化钛层上沉积形成ZAZ介电膜;在ZAZ介电膜上沉积第二氮化钛层。本公开与现有技术相比的优点在于:(1)能够稳定的确保电容的底部临界尺寸。(2)稳定的管理电阻值和电容值。(3)电容的泄漏电流较小,改善了电容器的刷新特性。
基本信息
专利标题 :
电容器、其制作方法及电子设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114284268A
申请号 :
CN202011036209.5
公开(公告)日 :
2022-04-05
申请日 :
2020-09-27
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
田范焕梁时元贺晓彬李亭亭刘金彪
申请人 :
中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
申请人地址 :
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 :
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 :
刘广达
优先权 :
CN202011036209.5
主分类号 :
H01L27/108
IPC分类号 :
H01L27/108 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-04-22 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/108
申请日 : 20200927
申请日 : 20200927
2022-04-05 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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