电容器及其制作方法
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摘要
一种电容器(100)及其制作方法，电容器(100)包括：半导体衬底(110)；第一绝缘层(120)，设置于半导体衬底(110)的下方；第一沟槽组(10)，设置于半导体衬底(110)和第一绝缘层(120)，第一沟槽组(10)包括至少两个第一沟槽，至少两个第一沟槽自半导体衬底(110)的上表面向下贯穿半导体衬底(110)且进入第一绝缘层(120)，且至少两个第一沟槽的底部连通，以形成位于第一绝缘层(120)的第一空腔结构(30)；叠层结构(130)，设置在半导体衬底(110)上方、第一沟槽组(10)内和第一空腔结构(30)内，叠层结构(130)包括n层绝缘层和n层导电层，m层绝缘层和n层导电层形成导电层与绝缘层彼此相邻的结构，m和n为正整数；第一电极层(140)，电连接至n层导电层中的所有奇数层导电层；第二电极层(150)，电连接至n层导电层中的所有偶数层导电层。
基本信息
专利标题 ：
电容器及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111937144A
申请号 ：
CN201980000343.9
公开（公告）日 ：
2020-11-13
申请日 ：
2019-03-13
授权号 ：
CN111937144B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
陆斌沈健
申请人 ：
深圳市汇顶科技股份有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市福田保税区腾飞工业大厦B座13层
代理机构 ：
北京龙双利达知识产权代理有限公司
代理人 ：
孙涛
优先权 ：
CN201980000343.9
主分类号 ：
H01L23/522
IPC分类号 ：
H01L23/522 H01G4/33 H01G4/38
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2020-12-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/522
申请日 : 20190313
申请日 : 20190313
2020-11-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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