金属氧化物半导体电容器及其制作方法
公开
摘要
本发明公开一种金属氧化物半导体(MOS)电容器及其制作方法，其中该MOS电容器包括一基底，具有电容器形成区域；离子阱，具有第一导电型，设置在基底中；一反掺杂区，具有第二导电型，设置在离子阱中；一电容介电层，设置在离子阱上；一栅电极，设置在电容介电层上；一源极掺杂区，具有第二导电型，设置在电容器形成区域内的栅电极的第一侧；以及一漏极掺杂区，具有第二导电型，设置在电容器形成区域内的栅电极的第二侧。
基本信息
专利标题 ：
金属氧化物半导体电容器及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613864A
申请号 ：
CN202011429361.X
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2020-12-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林建里林威达陈正国罗大刚陈奕全马焕淇游建文卢冠廷廖国佑
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN202011429361.X
主分类号 ：
H01L29/94
IPC分类号 ：
H01L29/94 H01L21/329
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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