半导体元件之电容器与金属栅极之制造方法
专利申请权、专利权的转移
摘要
一种半导体元件之电容器与金属栅极之制造方法，至少包括在基材上形成虚拟(dummy)栅极，在此基材上形成第一介电层并邻接此虚拟栅极，在此第一介电层层中形成电容器沟槽，在此电容器沟槽中形成下电极层，移除此虚拟栅极以提供栅极沟槽，在此电容器沟槽与此栅极沟槽中形成第二介电层，与在此电容器沟槽与此栅极沟槽中此第二介电层上形成金属层。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件之电容器与金属栅极之制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1822349A
申请号 ：
CN200610001345.4
公开（公告）日 ：
2006-08-23
申请日 ：
2006-01-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
涂国基
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京连和连知识产权代理有限公司
代理人 ：
包红健
优先权 ：
CN200610001345.4
主分类号 ：
H01L21/8232
IPC分类号 ：
H01L21/8232 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
法律状态
2019-01-18 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 21/8232
登记生效日 : 20190102
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 台湾积体电路制造股份有限公司
变更后权利人 : 台积电（南京）有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
变更后权利人 : 江苏省南京市浦口经济开发区紫峰路16号
登记生效日 : 20190102
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 台湾积体电路制造股份有限公司
变更后权利人 : 台积电（南京）有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
变更后权利人 : 江苏省南京市浦口经济开发区紫峰路16号
2008-03-05 ：
授权
2006-11-22 ：
实质审查的生效
2006-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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