制造双栅极FET的方法

专利权的终止

摘要

本发明提出了一种使用传统半导体工艺技术制造超短长度双栅极FET的方法，具有非常小且可再现的鳍，其间距和宽度比利用光刻技术可以获得的间距和宽度小。在衬底(1)上的凸起物(2)上形成第一层(3)和第二层(4)，随后暴露出凸起物(2)的顶部表面。将第一层(3)的一部分相对于凸起物(2)和第二层(4)选择性地去除，从而产生鳍(6)和沟槽(5)。同样，本发明用于形成多个鳍(6)和沟槽(5)。通过在沟槽(5)中形成栅极电极(7)以及源极和漏极区来产生双栅极FET。另外，提出制作具有可以单独进行偏置的两个栅极电极的超短长度不对称双栅极FET的方法。

基本信息

专利标题：

制造双栅极FET的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101142686A

申请号：

CN200680003375.7

公开（公告）日：

2008-03-12

申请日：

2006-01-23

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

韦伯·D·范诺尔特弗朗西斯库斯·P·威德斯霍芬拉杜·芬尔代亚努

申请人：

NXP股份有限公司

申请人地址：

荷兰艾恩德霍芬

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

朱进桂

优先权：

CN200680003375.7

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L29/786 H01L29/06 H01L29/49 H01L29/423 H01L29/165 H01L21/336