栅极的制造方法

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摘要

本申请公开了一种栅极的制造方法，该方法包括：提供一衬底，衬底上形成有至少两个栅极结构，每个栅极结构从下而上依次包括交叠的多晶硅层、第一硬掩模层和第二硬掩模层；在衬底上覆盖回刻阻挡层，回刻阻挡层覆盖栅极结构；对回刻阻挡层进行刻蚀，使第一硬掩模层和第二硬掩模层暴露；对第一硬掩模层和第二硬掩模层进行回刻蚀；去除回刻阻挡层，在栅极结构的周侧形成侧墙；去除第一硬掩模层和第二硬掩模层；在衬底上形成氧化层，氧化层覆盖多晶硅层。本申请通过对第一硬掩模层和第二硬掩模层进行回刻蚀使栅极结构的表面形貌变得较为平整，从而能够降低后续形成的氧化层过程中产生空洞的几率，提高了半导体器件的良率。

基本信息

专利标题：

栅极的制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110854073A

申请号：

CN201911174112.8

公开（公告）日：

2020-02-28

申请日：

2019-11-26

授权号：

CN110854073B

授权日：

2022-05-27

发明人：

庄望超

申请人：

上海华力集成电路制造有限公司

申请人地址：

上海市浦东新区良腾路6号

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司

代理人：

黎伟

优先权：

CN201911174112.8

主分类号：

H01L21/8234

IPC分类号：

H01L21/8234