双功函数金属栅极结构及其制造方法
授权
摘要
本发明公开一种半导体器件及其相关制造方法，其中通过用碳和/或氟掺杂金属层，由单个金属层形成双功函数金属栅极电极。
基本信息
专利标题 ：
双功函数金属栅极结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1812054A
申请号 ：
CN200510129719.6
公开（公告）日 ：
2006-08-02
申请日 ：
2005-12-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金旼炷李钟镐韩成基丁炯硕
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
李晓舒
优先权 ：
CN200510129719.6
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28 H01L21/8232 H01L21/8238 H01L27/085 H01L27/092
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2010-12-08 ：
授权
2006-09-27 ：
实质审查的生效
2006-08-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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