制造具有凹陷栅极结构的半导体器件的方法
专利权的终止
摘要
本发明涉及一种形成在半导体器件中的具有变化宽度凹陷的变化宽度凹陷栅极结构，其能显著增加具有形成在该变化宽度凹陷中的栅极的晶体管的沟道长度，从而有效地减小电流泄漏并改进更新特性。在制造该凹陷栅极结构的方法中，蚀刻被进行两次或更多次，从而在衬底中形成具有变化宽度的栅极凹陷，栅极形成在该栅极凹陷中。
基本信息
专利标题 ：
制造具有凹陷栅极结构的半导体器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1892988A
申请号 ：
CN200610054950.8
公开（公告）日 ：
2007-01-10
申请日 ：
2006-02-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金钟万李昌九金钟植元泽拉
申请人 ：
海力士半导体有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
李晓舒
优先权 ：
CN200610054950.8
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28 H01L21/336 H01L29/41 H01L29/78
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2015-04-15 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101605904315
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL2006100549508
申请日 : 20060227
授权公告日 : 20090218
终止日期 : 20140227
号牌文件序号 : 101605904315
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL2006100549508
申请日 : 20060227
授权公告日 : 20090218
终止日期 : 20140227
2009-02-18 ：
授权
2007-03-07 ：
实质审查的生效
2007-01-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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