半导体器件栅极间隔件结构及其方法
授权
摘要
一种半导体器件包括：衬底，具有沟道区；栅极堆叠件，位于沟道区上方；密封间隔件，覆盖栅极堆叠件的侧壁，密封间隔件包括氮化硅；栅极间隔件，覆盖密封间隔件的侧壁，栅极间隔件包括氧化硅，栅极间隔件具有第一垂直部分和第一水平部分；以及第一介电层，覆盖栅极间隔件的侧壁，第一介电层包括氮化硅。本发明的实施例还涉及半导体器件栅极间隔件结构及其方法。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件栅极间隔件结构及其方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109817715A
申请号 ：
CN201810449654.0
公开（公告）日 ：
2019-05-28
申请日 ：
2018-05-11
授权号 ：
CN109817715B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
黄国长卢富鹏刘峻昌黄镇球
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN201810449654.0
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336
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法律状态
2022-06-03 ：
授权
2019-06-21 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20180511
申请日 : 20180511
2019-05-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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