具有多个独立栅极的半导体器件
公开
摘要
具有多个独立栅极的半导体器件。一种栅极控制的半导体器件，包括：半导体器件的第一多个单元，所述第一多个单元被配置为由主栅极来控制；以及半导体器件的第二多个单元，所述第二多个单元被配置为由辅助栅极来控制。主栅极与辅助栅极是电隔离的，并且半导体器件的源极和漏极并联电耦接。第一多个单元和第二多个单元在结构上可以基本相同。
基本信息
专利标题 ：
具有多个独立栅极的半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114556590A
申请号 ：
CN202080072987.1
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2020-09-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
S·哈瓦那M·艾曼·谢比卜
申请人 ：
硅尼克斯股份有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京市磐华律师事务所
代理人 ：
高伟
优先权 ：
CN202080072987.1
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/8252 H01L27/06 H01L27/07 H01L27/085 H01L29/20 H01L29/40 H01L29/417 H01L29/423 H01L29/778 H01L29/866 H03K17/0812 H03K17/082 H03K17/567
法律状态
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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