半导体器件栅极结构的制造方法
专利申请权、专利权的转移
摘要
本发明提供了一种半导体器件栅极结构的制造方法，包括：在反应室内提供一半导体衬底，在衬底上形成栅极介质层；在栅极介质层上形成栅电极层，在栅电极层上形成掩膜层，通入刻蚀气体，利用等离子源输出等离子体刻蚀多晶硅栅电极层；等离子源采用脉冲输出功率方式刻蚀栅极介质层。本发明的半导体器件栅极结构的制造方法对于在65nm及以下的工艺节点精确控制栅极氧化层的厚度非常有效，刻蚀深度能够完美地停止在栅极氧化层表面而不会对有源区表面造成任何凹陷。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件栅极结构的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101038870A
申请号 ：
CN200610024667.0
公开（公告）日 ：
2007-09-19
申请日 ：
2006-03-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴汉明
申请人 ：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址 ：
201203上海市浦东新区张江路18号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
逯长明
优先权 ：
CN200610024667.0
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28 H01L21/3065 H01L21/311 H01L21/336
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2011-12-14 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101238306822
IPC(主分类) : H01L 21/28
专利号 : ZL2006100246670
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
登记生效日 : 20111108
号牌文件序号 : 101238306822
IPC(主分类) : H01L 21/28
专利号 : ZL2006100246670
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
登记生效日 : 20111108
2009-02-04 ：
授权
2007-11-14 ：
实质审查的生效
2007-09-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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