具有掩埋栅极的半导体器件的制造方法
实质审查的生效
摘要
本公开提供了一种用于制造半导体器件的方法，包括：提供衬底，所述衬底具有前表面和与所述前表面相对的后表面；在衬底的前表面中形成沟槽；在沟槽之上形成栅极电介质层；在栅极电介质层之上形成填充沟槽底部部分的栅电极；形成密封层，该密封层包括覆盖栅电极、栅极电介质层和衬底的前表面的第一部分，以及覆盖衬底后表面的第二部分；选择性地去除密封层的第二部分；以及执行退火工艺以在沟槽与栅极电介质层之间的界面上形成氢处理表面。
基本信息
专利标题 ：
具有掩埋栅极的半导体器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284140A
申请号 ：
CN202110477888.8
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-04-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金进雄
申请人 ：
爱思开海力士有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京弘权知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭放
优先权 ：
CN202110477888.8
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28 H01L21/8242 H01L29/423
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/28
申请日 : 20210430
申请日 : 20210430
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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