在栅极电极上具有硅层的半导体器件
专利申请权、专利权的转移
摘要
一种CMOS器件，包括半导体基板、栅极绝缘膜和具有掺杂硼和磷的硅层、氮化钨层和钨层的栅极电极。在硅层的厚度方向的硼浓度分布中，硼的最大浓度和最小浓度的比小于100。该CMOS器件具有比较低的NBTI(负偏置温度稳定性)退化。
基本信息
专利标题 ：
在栅极电极上具有硅层的半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1812103A
申请号 ：
CN200510136967.3
公开（公告）日 ：
2006-08-02
申请日 ：
2005-12-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
山田悟永井亮
申请人 ：
尔必达存储器株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
陆锦华
优先权 ：
CN200510136967.3
主分类号 ：
H01L27/092
IPC分类号 ：
H01L27/092 H01L29/43 H01L29/78 H01L21/8238 H01L21/28 H01L21/336
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
H01L27/092
互补MIS场效应晶体管
法律状态
2018-10-23 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 27/092
登记生效日 : 20180930
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 拉姆伯斯公司
变更后权利人 : 合肥睿科微电子有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国加利福尼亚州
变更后权利人 : 安徽省合肥市高新区创新产业园二期J1楼A座14层A-08
登记生效日 : 20180930
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 拉姆伯斯公司
变更后权利人 : 合肥睿科微电子有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国加利福尼亚州
变更后权利人 : 安徽省合肥市高新区创新产业园二期J1楼A座14层A-08
2013-05-15 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101589806226
IPC(主分类) : H01L 27/092
专利号 : ZL2005101369673
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 尔必达存储器株式会社
变更后权利人 : 拉姆伯斯公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京
变更后权利人 : 美国加利福尼亚州
登记生效日 : 20130422
号牌文件序号 : 101589806226
IPC(主分类) : H01L 27/092
专利号 : ZL2005101369673
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 尔必达存储器株式会社
变更后权利人 : 拉姆伯斯公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京
变更后权利人 : 美国加利福尼亚州
登记生效日 : 20130422
2011-10-05 ：
授权
2006-09-27 ：
实质审查的生效
2006-08-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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