基于栅极保护的半导体电路及半导体器件
授权
摘要
本实用新型揭示了一种基于栅极保护的半导体电路及半导体器件，所述半导体电路包括集成设置的增强型功率器件及增强型器件，所述增强型功率器件包括第一栅极、第一源极及第一漏极，增强型器件包括第二栅极、第二源极及第二漏极，且所述第一栅极与第二源极电性连接，第一漏极作为半导体电路的漏极，第一源极作为半导体电路的源极，第二漏极作为半导体电路的栅极，第二栅极作为半导体电路的保护电极。本实用新型通过在增强型功率器件的栅极集成另一个增强型器件，实现对功率器件的栅极保护；相比于现有的栅极保护技术，本实用新型在免除了外接齐纳二极管的需要的同时，也去除了对耗尽型器件的依赖。
基本信息
专利标题 ：
基于栅极保护的半导体电路及半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021938516.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-08
授权号 ：
CN212725306U
授权日 ：
2021-03-16
发明人 ：
蒋胜柳永胜胡峰白强唐瑜陈辉于洁
申请人 ：
苏州英嘉通半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市相城区高铁新城南天成路88号天成信息大厦601-A148室
代理机构 ：
苏州三英知识产权代理有限公司
代理人 ：
周仁青
优先权 ：
CN202021938516.8
主分类号 ：
H01L27/088
IPC分类号 ：
H01L27/088 H01L29/20
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
法律状态
2021-03-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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