半导体器件保护装置、方法及半导体器件
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种半导体器件保护装置，包括：衬底；P阱区域，形成在衬底上，P阱区域通过在衬底上进行P型掺杂形成；N阱区域，形成在衬底上，N阱区域通过在衬底上进行N型掺杂形成；P‑区域，形成在P阱区域内；N‑区域，形成在N阱区域内；第一金属电极，形成在P‑区域上表面并与P‑区域形成欧姆接触；第二金属电极，形成在N‑区域上表面并与N‑区域形成欧姆接触；金属互连线，与第一金属电极和第二金属电极导电连接，金属互连线用于将第一金属电极和第二金属电极需要保护的半导体器件导电连接。本发明提供的半导体器件保护装置，能够避免半导体器件在使用等离子体加工过程中的等离子体损伤。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件保护装置、方法及半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334950A
申请号 ：
CN202011081312.1
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-10-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金志勋赵劼杨涛张欣
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京兰亭信通知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈晓瑜
优先权 ：
CN202011081312.1
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L27/06 H01L27/088 H01L21/822 H01L21/8234
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/02
申请日 : 20201010
申请日 : 20201010
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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