半导体器件和生产半导体器件的方法
公开
摘要
本发明的公开涉及一种半导体器件和生产半导体器件的方法，该半导体器件包括夹片和嵌条，其中夹片包括夹片槽并且嵌条包括沟槽。夹片和嵌条通过超声波焊接附接。沟槽和夹片槽至少部分地重叠以形成气体通路。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件和生产半导体器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446915A
申请号 ：
CN202111282568.3
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-11-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
里卡多·杨多克安东尼·马修马诺耶·巴拉克瑞南亚当·布朗
申请人 ：
安世有限公司
申请人地址 ：
荷兰奈梅亨
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
张芸
优先权 ：
CN202111282568.3
主分类号 ：
H01L23/495
IPC分类号 ：
H01L23/495 H01L21/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/495
引线框架的
法律状态
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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