半导体电路及半导体器件
专利权的终止
摘要
本发明的制造半导体电路的方法由形成非晶硅膜着手，然后，如此形成含至少一种催化元素的第二层，以便与非晶硅膜紧密连接，或将催化元素掺入非晶硅膜中，用激光或其他强度等于激光的光对该非晶硅膜作选择性照射，再使该非晶硅膜晶化。
基本信息
专利标题 ：
半导体电路及半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1244039A
申请号 ：
CN99110391.2
公开（公告）日 ：
2000-02-09
申请日 ：
1994-03-12
授权号 ：
CN1136612C
授权日 ：
2004-01-28
发明人 ：
张宏勇高山彻竹村保彦
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
张志醒
优先权 ：
CN99110391.2
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L29/786
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2014-04-16 ：
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101581484419
IPC(主分类) : H01L 27/02
专利号 : ZL991103912
申请日 : 19940312
授权公告日 : 20040128
期满终止日期 : 20140312
号牌文件序号 : 101581484419
IPC(主分类) : H01L 27/02
专利号 : ZL991103912
申请日 : 19940312
授权公告日 : 20040128
期满终止日期 : 20140312
2004-01-28 ：
授权
2000-02-09 ：
公开
2000-01-12 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1244039A.PDF
PDF下载
2、
CN1136612C.PDF
PDF下载
