半导体器件
专利权的终止
摘要
一种MIS型半导体器件的制造方法，其特征在于在一个半导体衬底或半导体薄膜上选择地形成杂质区，而这些杂质区由从上面辐照的激光束或等效的强光辐照而激活，因而激光束或等效强光辐照在杂质区以及杂质区与邻接杂质区的激活区间的边界。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1538522A
申请号 ：
CN200410042294.0
公开（公告）日 ：
2004-10-20
申请日 ：
1994-01-18
授权号 ：
CN1297007C
授权日 ：
2007-01-24
发明人 ：
山崎舜平竹村保彦
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
叶恺东
优先权 ：
CN200410042294.0
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L29/78
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2014-03-12 ：
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101575523721
IPC(主分类) : H01L 27/02
专利号 : ZL2004100422940
申请日 : 19940118
授权公告日 : 20070124
期满终止日期 : 20140118
号牌文件序号 : 101575523721
IPC(主分类) : H01L 27/02
专利号 : ZL2004100422940
申请日 : 19940118
授权公告日 : 20070124
期满终止日期 : 20140118
2007-01-24 ：
授权
2004-12-29 ：
实质审查的生效
2004-10-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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