本申请实施例提供一种集成电路及其布局方法，先确定集成电路中的若干个标准单元中沟道长度最大的第一标准单元的第一间隔尺寸，该第一间隔尺寸为第一标准单元中的多晶硅栅极的中轴线与虚拟多晶硅栅极的中轴线之间的距离，然后利用第一间隔尺寸以及各个标准单元的沟道长度，调整各个标准单元中的多晶硅栅极与虚拟多晶硅栅极之间的距离，调整后的各个标准单元中的多晶硅栅极的中轴线与虚拟多晶硅栅极的中轴线之间的距离与上述第一间隔尺寸相同，从而使得各个不同沟道长度的标准单元集成在一起之后，各个标准单元的所占用的空间大小不受沟道长度的影响，有效降低了在集成电路生产过程中关键图形尺寸的误差，提升了集成电路的性能。