裸片上静电放电保护
实质审查的生效
摘要
公开了用于在电子设备中进行裸片上静电放电(ESD)保护的设备和方法。所公开的方面包括一种电子设备，该电子设备包括被布置在具有第一端口和第二端口的裸片内的受保护电路。第一电感器也被布置在裸片内并且电耦合到第一端口。第二电感器也被布置在裸片内并且电耦合到第二端口。第一电感器和第二电感器被布线成紧密邻近，并且被配置为使得第一电感器与第二电感器异相。
基本信息
专利标题 ：
裸片上静电放电保护
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114270512A
申请号 ：
CN202080058596.4
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2020-08-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘凯余晓菊陆叶
申请人 ：
高通股份有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
王茂华
优先权 ：
CN202080058596.4
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L23/60 H01L23/64 H01L23/66
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/02
申请日 : 20200812
申请日 : 20200812
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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