针对静电放电保护的器件
授权
摘要
本公开的实施例涉及针对静电放电保护的器件。该针对静电放电保护的器件在第一导电类型形成在半导体衬底中，半导体衬底涂覆有第二导电类型的半导体层。第二导电类型的掩埋区域被定位在半导体衬底与半导体层之间的界面处。第一导电类型的第一阱和第二阱形成在半导体层中，并且第二导电类型的区域形成在第二阱中。第二导电类型的停止沟道区域在半导体层中提供，以将第一阱与第二阱横向地分离，其中在该停止沟道区域与第一阱和第二阱中的任一个阱之间不存在接触。
基本信息
专利标题 ：
针对静电放电保护的器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020478482.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-03
授权号 ：
CN213635987U
授权日 ：
2021-07-06
发明人 ：
E·拉孔德O·奥里
申请人 ：
意法半导体(图尔)公司
申请人地址 ：
法国图尔
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
董莘
优先权 ：
CN202020478482.2
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L29/06
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2021-07-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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